激光除鏽半導體行業

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當前，隨著半導體技術不斷微縮，先進的集成電路器件已從平麵向三維結構轉變，

當前，隨著半導體技術不斷微縮，先進的集成電路器件已從平麵向三維結構轉變，集成電路製造工藝正變得越來越複雜，往往需要經過幾百甚至上千道的工藝步驟。對於先進的半導體器件製造，每經過一道工藝，矽片表麵都會或多或少地存在顆粒汙染物、金屬殘留或有機物殘留等，器件特征尺寸的不斷縮小和三維器件結構的日益複雜性，使得半導體器件對顆粒汙染、雜質濃度和數量越來越敏感。對矽晶元上掩模表麵的汙染微粒的清洗技術提出了更高的要求，其關鍵點在於克服汙染微顆粒與基材之間極大的吸附力，傳統的化學清洗、機械清洗、超聲清洗方法均無法滿足需求，而激光清洗可以很容易解決此類汙染問題。

另外，隨著集成電路器件尺寸持續縮小，清洗工藝過程中的材料損失和表麵粗糙度成為必須關注的問題，將微粒去除而又沒有材料損失和圖形損傷是最基本的要求，激光清洗技術具有非接觸性、無熱效應，不會對被清洗物體產生表麵損壞，且不會產生二次汙染等傳統清洗方法所無法比擬的優勢，是解決半導體器件汙染的清洗方法，。

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